Istnieje kilka rodzajów tranzystorów unipolarnych, a więc takich, w których sterowanie prądem następuje za sprawą pola elektrycznego, a ich konstrukcja opiera się na strukturze półprzewodnika z trzema elektrodami: drenie, źródle i bramce. Najpowszechniej wykorzystywanym typem takich komponentów są zaś modele wykonane w technologii MOSFET. Skrót ten można rozwinąć jako metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, a odnosi się on do tranzystorów z trzema warstwami: metalową płytką, tlenkiem metalu będącym izolatorem oraz półprzewodnikiem.
Budowa i działanie tranzystorów MOSFET
W tranzystorach unipolarnych wykonanych w technologii MOSFET w podłożu, będącym płytką półprzewodnika typu P lub N, znajdują się 2 obszary o przeciwnym przewodnictwie, które tworzą dren (D) i źródło (S). Powierzchnia między nimi to zaś bardzo cienka warstwa izolatora o grubości kilkunastu nanometrów – pokrywa się ją dobrze przewodzącym materiałem, tworząc w ten sposób bramkę (G). Zmiana napięcia na linii bramka-źródło powoduje przepływ prądu elektrycznego przez kanał, który w przypadku tranzystorów MOSFET może mieć postać zubożaną albo wzbogacaną.
Charakterystyka pracy
Tranzystory MOSFET, z uwagi na swoje parametry, charakteryzują się znacznie szybszą pracą w porównaniu z urządzeniami bipolarnymi. Jednocześnie jednak są od nich znacznie mniej wytrzymałe – mogą ulec nieodwracalnemu uszkodzeniu w kontakcie z ładunkiem elektrostatycznym nawet o niskim napięciu. Z tego względu zazwyczaj przechowuje się je w specjalnych foliach przewodzących.
Budowa tranzystorów unipolarnych MOSFET sprawia również, że znajdują one zastosowanie głównie w układach o bardzo niskim napięciu (minimum 0,7 V), a także tam, gdzie obciążenie pobiera prąd o wysokim poziomie amperów. To komponenty powszechnie używane w mikroprocesorach oraz układach scalonych CMOS.
Najważniejsze parametry tranzystorów unipolarnych MOSFET
Chcąc wybrać odpowiedni tranzystor wyprodukowany w technologii MOSFET, należy zwrócić uwagę na kluczowe parametry tego rodzaju komponentów. Wśród nich trzeba wymienić:
- maksymalne dopuszczalne napięcie dren-źródło,
- maksymalny prąd drenu,
- napięcie progowe otwierania.
Bez przestrzegania tych wytycznych z łatwością można uszkodzić tranzystor w stopniu, w którym nie będzie on nadawał się do użytku. W razie chęci zamówienia MOSFET-a zapraszamy więc do kontaktu z ekspertami z MICRO-ACTIV COMPONENTS – pomożemy w dokonaniu odpowiedniego wyboru.