Wzmacniacze dużej mocy

Oferowane przez MICRO-ACTIV COMPONENTS hybrydowe szerokopasmowe wzmacniacze mocy charakteryzują się dyskretną matrycą tranzystorów GaN, GaAsFET na podłożu ceramicznym, obejmującą zakresy częstotliwości od 4 GHz do 26,5 GHz i mocy powyżej 500 W.

Szerokopasmowe wzmacniacze SSPA skonstruowane na bazie technologii hybrydowej z dyskretnymi tranzystorami LDMOS, GaN, GaAsFET i Chip & Wire Hybrid, funkcjonują w pasmach częstotliwości od jednej oktawy do dekad od 1 MHz do 24,5 GHz przy poziomach mocy przekraczających 500 W w przypadku modułów i 3 kW w przypadku systemów.

W ofercie MICRO-ACTIV COMPONENTS wąskopasmowe CW i liniowe półprzewodnikowe wzmacniacze SSPA powstały na bazie technologii LDMOS, GaN, GaAsFET Discrete i Chip & Wire Hybrid, obejmujące zakresy częstotliwości od 1 MHz do 26,5 GHz przy poziomach mocy przekraczających 1 kW dla modułów i 10 kW dla systemów.

Impulsowe wzmacniacze SSPA MICRO-ACTIV zawierają w sobie zaawansowane technologie LDMOS, GaN discrete oraz Chip & Wire obejmujące zakres częstotliwości od 1 MHz do 12 GHz przy poziomach mocy przekraczających 1KW dla modułów i 10KW dla systemów.